深能级陷阱相关论文
为验证亚禁带光照对电流型碲锌镉(CZ T)探测器伽马灵敏度性能优化的可行性,利用钴源装置开展了亚禁带光照对CZT探测器伽马灵敏度影......
利用二维器件模拟程序MEDICI对GaAs光导开关(PCSS′s)的动态非线性特性,特别是高场下呈现出的锁定及延迟效应的工作机制进行了仿真......
ZnO和SnO2压敏元件的电性能取决于晶界肖特基势垒。深能级瞬态谱仪(DLTS)是研究存在于肖特基势垒的电子态的一种有效工具。本......
针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提......
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利用二维器件模拟程序MEDICI对GaAs光导开关(PCSS′s)的动态非线性特性,特别是高场下呈现出的锁定及延迟效应的工作机制进行了仿真......
针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC ......
期刊
针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材......
研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产......
针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材......
采用固相烧结法制备La0.5Ca0.5MnO3（LCMO）陶瓷样品。以银胶做电极，用两线法对样品电输运性质，特别是对脉冲诱导电阻转变（electrical pul......
Al1 xGaxAs/GaAs量子阱材料在高速和高频电子器件有着广泛的应用 ,研究其辐照效应及其辐照引入的深能级缺陷直接关系着高速高频器......
针对4H．SiC射频MESFET中的陷阱效应，建立了基于解析模型的器件小信号参数模型，引入能够反映陷阱影响的参数Rds^n、gm^n、Gss等，从而能......
InP/InGaAs异质结双极型晶体管（HBTs）广泛应用在高频、射频和微波领域中。和InP HBT器件相比,基于Si-CMOS集成后的InP HBTs器件具有......
